Nano Antimon Trioksit

Halojensiz alev geciktirici iyileştirmelerin ve hassas fonksiyonel malzemelerin uyarlanması için temel hammadde olan nano antimon trioksit (Sb₂O₃), yalnızca parçacık boyutunda niceliksel bir değişiklik değil, aynı zamanda reaksiyon modunda niteliksel bir değişikliktir: geleneksel "parçacık yüzey reaksiyonu"nu "tam parçacık anlık toplu reaksiyonuna" yükseltir. Bu, halojen antimon sinerjistik reaksiyonunun temas alanını yüzlerce kat artırdığınız ve reaksiyonun başlatılmasındaki "ateşleme gecikmesini" neredeyse sıfıra indirdiğiniz ve aşırı termal şok durumunda üst düzey polimerler için anında, tam ve patlayıcı gaz fazında alev geciktirici koruma sağladığınız anlamına gelir.

Temel güçlü yönler

1. Tek dağılımlı nano ölçekli kalite ve hassas kontrol

-Ortalama parçacık boyutu D50, 20-100nm'dir (10-50nm ultra ince spesifikasyonlarla özelleştirilebilir), parçacık boyutu dağılım aralığı ≤ 0,15 μ m, monodispersite indeksi ≥ 0,92, ikincil agregat yok ve 50-80 m²/g'ye kadar spesifik yüzey alanı ile sektördeki benzer ürünleri çok aşıyor.

-Zararlı maddelerin geçişini önlemek ve elektronik sınıf, gıdayla temas sınıfı ve tıbbi sınıf malzemelerin katı saflık gereksinimlerini karşılamak için Sb₂O₃ ≥ %99,99, temel yabancı maddeler As₂O₃ ≤ %0,005, PbO ≤ %0,01, Fe₂O₃ ≤ %0,002'nin ana içeriği.

-Beyazlık ≥ 99,5'tir, kübik kristallerin oranı ≥ %99,2'dir, kristal morfolojisi düzenli küreseldir ve yüzey hidroksil içeriği 0,8-1,2 mmol/g'de hassas bir şekilde kontrol edilir ve sonraki modifikasyonlar için ideal reaksiyon bölgeleri sağlar.

-Vakum inert gaz gradyanlı kurutma işlemini benimseyen nem içeriği ≤ %0,06'dır, toz mükemmel akışkanlığa sahiptir (durma açısı ≤ 32 °) ve uzun süreli depolama sırasında topaklanma olgusu yoktur. Partiler arasındaki fiziksel ve kimyasal göstergelerin sapması ≤± %0,02'dir.

2. Yerinde modifikasyon teknolojisi, sinerjik verimlilik darboğazını aşıyor

-Yenilik, nanokristalin çekirdeklerin oluşumu sırasında polietilen glikol (PEG) ve silan birleştirme maddesinden (KH-570) oluşan bir kompozit modifikasyon sistemi sunan, eşzamanlı bir yerinde "büyüme modifikasyonu" sürecini benimser. Kimyasal bağlanma yoluyla, PP, PVC ve epoksi reçine gibi matrislerle uyumluluğu %80 oranında artıran ve geleneksel sonradan modifikasyonun neden olduğu dağılım kararsızlığı sorununu tamamen çözen bir çekirdek-kabuk yapısı oluşturulur.

-Halojen içermeyen fosfor bazlı, nitrojen bazlı ve genleşme tipi alev geciktiricilerle süper sinerjistik etki yaratarak, yanma sırasında hızla nano düzeyde yoğun bir karbon tabakası ve gaz fazında serbest radikal yakalama katmanı oluşturur. Alev geciktiricilik derecesi, limit oksijen indeksi (LOI) ≥ 40, duman yoğunluğu derecesi (SDR) ≤ 40 ve toksik duman salınımında %75 azalma ile HB seviyesinden UL 94 V0 seviyesine (0,8 mm kalınlık) doğrudan sıçrayabilir.

-Aynı alev geciktirici gereklilikleri kapsamında, ilave miktarı sıradan antimon trioksit ile karşılaştırıldığında %40-%50 ve geleneksel nano ürünlerle karşılaştırıldığında %20 azaltılarak malzeme yoğunluğu ve formülasyon maliyetleri önemli ölçüde azaltılır ve alt tabakanın çekme mukavemeti ve darbe dayanıklılığı için ≥ %95'lik bir tutma oranı korunur.

-10 ⁷ -10 ⁹Ω· cm arasında kontrol edilen dirençle duman bastırma, damlamayı önleme ve antistatik gibi birden fazla işlevi entegre eder. Özel anti-statik katkı maddelerinin yerini alabilir ve formülasyon sistemini basitleştirebilir.

Uygulama senaryoları

Yeni enerji pilleri alanında

-Uygulama: Güç akü paketi muhafazası, lityum akü ayırıcı kaplama, elektrolit katkı maddesi, enerji depolama ekipmanı için alev geciktirici bileşenler

-Avantajları: Monodağılabilirlik, kaplamanın tek biçimli olmasını sağlar, alev geciktirici verimliliği 800V yüksek gerilim platformlarının güvenlik gereksinimlerine uyum sağlar ve bir elektrolit katkı maddesi olarak akü çevrim ömrünü 4000 kattan fazla artırabilir

-Önerilen dozaj: %2 -%5 (diyafram kaplama)/%0,05 -%0,1 (elektrolit)/%5 -%10 (kabuk malzemesi)

5G Elektronik ve Yarı İletken Alanı

-Uygulamalar: 5G baz istasyonu anten kapakları, yarı iletken ambalaj malzemeleri, esnek devre kartları ve mikro elektronik bileşen kasaları

-Avantajları: Nano ölçekli parçacık boyutu, malzemelerin dielektrik özelliklerini ve sinyal iletim verimliliğini etkilemez, yüksek saflık, yabancı maddelerin çip çalışmasına müdahale etmesini önler ve yüksek frekanslı ve minyatür elektronik cihazların ihtiyaçlarına uyum sağlar

-Önerilen dozaj: %1 -%4 (ambalaj malzemesi)/%3 -%7 (elektronik kasa)/%2 -%5 (esnek devre kartı)

Üst düzey mimari ve yapı malzemeleri alanı

-Uygulama: Şeffaf alev geciktirici cam, ultra ince yanmaz kaplama, alev geciktirici yalıtım levhası, asansör dekoratif paneli

-Avantajları: Yüksek beyazlık, yüksek şeffaflık (geçirgenlik ≥ %90), yapı malzemelerinin görünüm tasarımını etkilemez, nihai oksijen indeksi ≥ 38, AB CPR bina yönetmeliklerinin en yüksek yangın derecelendirmesi gerekliliklerini karşılar

-Önerilen dozaj: %4 -%10 (yanmaz kaplama)/%6 -%12 (şeffaf alev geciktirici malzeme)/%8 -%15 (yalıtım levhası)

Özel malzemeler alanı

-Uygulamalar: Tıbbi PVC borular, gıda ambalaj filmleri, havacılık kompozit malzemeleri, polyester polimerizasyon katalizörleri

-Avantajları: Düşük safsızlıklar ve yüksek dağılabilirlik, tıbbi ve gıdayla temas eden malzemelerin güvenlik gereksinimlerini karşılar. Katalizör olarak polyester polimerizasyon verimliliğini %18'den fazla artırabilir ve katalizör kullanımını %50 azaltabilir.

-Önerilen dozaj: %2 -%5 (tıbbi malzemeler)/%3 -%8 (havacılık kompozit malzemeleri)/%0,08 -%0,15 (katalitik alan)

Nano antimon trioksit ve nano düzeyde alev geciktirici sinerjistler arıyorsanız, Taixing en iyi ortağınız olacak ve en uygun işbirliği fiyatını sunacağız!